直接上結論是mosfet 比可控硅發熱降低60%，相位控制比mosfet發熱降低88.9%，比可控硅發熱降低95.5%，需要大致理解為什么發熱會降低的騎友繼續往下看。
假設充電電流20A，數據計算采用理論值，實際功率管會隨著溫度等變化，會有一些誤差，主要講解為什么發熱量相差這么大。
1. 可控硅整流器（短路式）發熱量
可控硅壓降一般在1.1V-1.4V，二極管壓降0.7v
發熱功耗=（1.1V+0.7V）*20A=36W
Ps.國內基本上都是用220封裝的可控硅，因為再大的尺寸比如TO-3P封裝一般鋁殼是放不下的，而要做40A的整流器的話，可控硅要進口的，價格是普通的153可控硅（16A）貴6-8倍，一般工廠肯定不會采用的，一般工廠可控硅用到20A算還可以了。
2. MOS+肖特基二極管發熱量
我們用的肖特基一般壓降在0.6-0.7V，mosfet內阻一般4毫歐-7毫歐
發熱功耗=0.6V*20A+0.006Ω*20A*20A=14.4w，比硅整流降低了60%的發熱量。所以一般用MOS的整流器比可控硅溫度低很多（短路式）。
Ps.其他很多工廠是用硅粒二極管，恢復慢，發熱會更大
3. 相位控制發熱量
我們采用的MOS 一般是低內阻3.5mΩ到4mΩ，
發熱功率會是0.004Ω*20A*20A*2=1.6w，比mosfet整流器降低了88.9%發熱量，比可控硅整流器降低了95.5%，基本上高負載下，外殼是不會燙手的，mosfet長時間還是會略燙手，可控硅的基本不能碰，因為溫度會100以上。
小結：
一些騎友會喜歡加一些射燈等負載上去，有時候發電量會不夠用，會想增加磁電機的發電量，其實也可以改用相位控制或者mosfet的整流器，因為像原裝以前挺多是用可控硅做的話，發熱量36w的情況下，那么等于磁電機輸出功率比較多的部分被消耗在發熱上，導致電源效率低下，帶不動外面的負載。而改用相位控制的話，只有1.6w浪費在發熱上，可以輸出更多的功率給電瓶，大燈等負載。
